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MOSFETs HXY FDD1600N10ALZ-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： FDD1600N10ALZ-HXY
点击复制 - 商品编号： G12355635
点击复制 - 封装规格： TO-252(DPAK)
点击复制 - 商品描述： FDD1600N10ALZ N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，为100V高电压、中等电流应用量身打造。器件提供100V的最大漏源电压(VDSS)，并支持高达10A的连续漏极电流(ID)，确保在高压电路中稳定可靠运行。其导通电阻RD(on)为140mR，虽然并非超低电阻，但足以满足许多通用电源转换、负载开关及基础电机驱动的需求，是兼顾性能与成本效益的理想半导体元件。
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FDD1600N10ALZ-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FDD1600N10ALZ-HXY 价格参考￥ 。 HXY FDD1600N10ALZ-HXY 封装/规格： TO-252(DPAK), FDD1600N10ALZ N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，为100V高电压、中等电流应用量身打造。器件提供100V的最大漏源电压(VDSS)，并支持高达10A的连续漏极电流(ID)，确保在高压电路中稳定可靠运行。其导通电阻RD(on)为140mR，虽然并非超低电阻，但足以满足许多通用电源转换、负载开关及基础电机驱动的需求，是兼顾性能与成本效益的理想半导体元件。。你可以下载 FDD1600N10ALZ-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： FDD1600N10ALZ-HXY
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