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MOSFETs HXY RD3P050SNTL1-HXY

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品牌：HXY(华轩阳)
型号：RD3P050SNTL1-HXY
商品编号：DS39728092
封装规格：TO-252-2L
商品描述： RD3P050SNTL1 N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，针对100V高电压下的中等电流应用设计。该器件提供高达100V的漏源电压(VDSS)和10A的连续漏极电流(ID)，在高压环境中表现出色。尽管其导通电阻RD(on)为140mR，但依旧能在适当的电流级别上确保稳定和有效的功率传输。广泛适用于开关电源、电机驱动控制、电池管理系统等领域，是兼具性能与经济效益的优质半导体元件。
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	型号：RD3P050SNTL1-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY RD3P050SNTL1-HXY MOSFETs HXY RD3P050SNTL1-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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RD3P050SNTL1-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 RD3P050SNTL1-HXY 价格参考￥。 HXY RD3P050SNTL1-HXY 封装/规格： TO-252-2L, RD3P050SNTL1 N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，针对100V高电压下的中等电流应用设计。该器件提供高达100V的漏源电压(VDSS)和10A的连续漏极电流(ID)，在高压环境中表现出色。尽管其导通电阻RD(on)为140mR，但依旧能在适当的电流级别上确保稳定和有效的功率传输。广泛适用于开关电源、电机驱动控制、电池管理系统等领域，是兼具性能与经济效益的优质半导体元件。。你可以下载 RD3P050SNTL1-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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