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MOSFETs HXY IRFR110TRPBF-HXY

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品牌：HXY(华轩阳)
型号：IRFR110TRPBF-HXY
商品编号：DS39728090
封装规格：TO-252-2L
商品描述： IRFR110TRPBF N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，适用于100V高电压系统中的中等电流应用。器件具有高达100V的漏源电压(VDSS)和10A的连续漏极电流(ID)，确保在高压条件下稳定工作。尽管导通电阻RD(on)为140mR，但在对应的电流负载下仍能保持适宜的能效。该MOS管被广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，是工程师在设计过程中寻求性能与成本平衡的优选半导体元件。
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	型号：IRFR110TRPBF-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY IRFR110TRPBF-HXY MOSFETs HXY IRFR110TRPBF-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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IRFR110TRPBF-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 IRFR110TRPBF-HXY 价格参考￥。 HXY IRFR110TRPBF-HXY 封装/规格： TO-252-2L, IRFR110TRPBF N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，适用于100V高电压系统中的中等电流应用。器件具有高达100V的漏源电压(VDSS)和10A的连续漏极电流(ID)，确保在高压条件下稳定工作。尽管导通电阻RD(on)为140mR，但在对应的电流负载下仍能保持适宜的能效。该MOS管被广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，是工程师在设计过程中寻求性能与成本平衡的优选半导体元件。。你可以下载 IRFR110TRPBF-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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