• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： FDS6612A-HXY
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• 商品编号： G12355140
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• 封装规格： SOP-8
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• 商品描述： FDS6612A N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高效率、大电流应用开发。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，能稳定承载8.5A连续电流，其导通电阻低至14mΩ，确保在高负载下保持出色的能效和较低的功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场合，凭借卓越的电流处理能力和优秀的电气性能，为电路设计提供有力支持。 FDS6612A N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高效率、大电流应用开发。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，能稳定承载8.5A连续电流，其导通电阻低至14mΩ，确保在高负载下保持出色的能效和较低的功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场合，凭借卓越的电流处理能力和优秀的电气性能，为电路设计提供有力支持。