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MOSFETs HXY IPD30N06S2-15-HXY

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品牌：HXY(华轩阳)
型号：IPD30N06S2-15-HXY
商品编号：DS39727999
封装规格：TO-252-2L
商品描述： IPD30N06S2-15 是一款高性能N沟道MOS管，封装类型为节省空间的TO-252-2L。它具备优异的电气参数最高漏源电压VDSS高达60V，能够承受50A的连续漏极电流，展现卓越的负载承载能力。更值得关注的是，其导通电阻仅11mR，有助于显著降低功耗与提高系统效能。此款MOS管适用于各类开关电源、马达驱动控制以及高效节能电子设备，是高端电源管理和电路设计的理想之选。
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	型号：IPD30N06S2-15-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY IPD30N06S2-15-HXY MOSFETs HXY IPD30N06S2-15-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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IPD30N06S2-15-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 IPD30N06S2-15-HXY 价格参考￥。 HXY IPD30N06S2-15-HXY 封装/规格： TO-252-2L, IPD30N06S2-15 是一款高性能N沟道MOS管，封装类型为节省空间的TO-252-2L。它具备优异的电气参数最高漏源电压VDSS高达60V，能够承受50A的连续漏极电流，展现卓越的负载承载能力。更值得关注的是，其导通电阻仅11mR，有助于显著降低功耗与提高系统效能。此款MOS管适用于各类开关电源、马达驱动控制以及高效节能电子设备，是高端电源管理和电路设计的理想之选。。你可以下载 IPD30N06S2-15-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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