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MOSFETs HXY RFD12N06RLES-HXY

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品牌：HXY(华轩阳)
型号：RFD12N06RLES-HXY
商品编号：DS39727958
封装规格：TO-252-2L
商品描述： RFD12N06RLES 是一款高品质N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，不仅拥有小巧的体积，还具有良好的散热性能。该器件能在60V的最大漏源电压(VDSS)下，持续提供高达15A的漏极电流(ID)，特别适应于高电压、大电流的工作环境。其出色的导通电阻RD(on)低至38mΩ，有助于提高系统能效，减少功率损耗。适用于电源转换器、电机控制器等各种场合，是您构建高效稳定电子系统的优质选择。
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	型号：RFD12N06RLES-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY RFD12N06RLES-HXY MOSFETs HXY RFD12N06RLES-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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RFD12N06RLES-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 RFD12N06RLES-HXY 价格参考￥。 HXY RFD12N06RLES-HXY 封装/规格： TO-252-2L, RFD12N06RLES 是一款高品质N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，不仅拥有小巧的体积，还具有良好的散热性能。该器件能在60V的最大漏源电压(VDSS)下，持续提供高达15A的漏极电流(ID)，特别适应于高电压、大电流的工作环境。其出色的导通电阻RD(on)低至38mΩ，有助于提高系统能效，减少功率损耗。适用于电源转换器、电机控制器等各种场合，是您构建高效稳定电子系统的优质选择。。你可以下载 RFD12N06RLES-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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