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MOSFETs HXY IPD30N03S2L-10-HXY
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-252(DPAK) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流 | 60A | |
类型 | 1个N沟道 | |
极性 | 1个N沟道 | |
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商品介绍
IPD30N03S2L-10 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。该器件具有出众的电气参数工作电压VDSS高达30V，连续电流ID最高可达60A，且拥有极低的导通电阻RD(on)仅为7mR，确保在大电流环境下也能保持高效能和低热损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等场合，是提升系统能效、强化可靠性的不二之选。
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IPD30N03S2L-10-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPD30N03S2L-10-HXY 价格参考￥ 。 HXY IPD30N03S2L-10-HXY 封装/规格： TO-252(DPAK), IPD30N03S2L-10 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。该器件具有出众的电气参数工作电压VDSS高达30V，连续电流ID最高可达60A，且拥有极低的导通电阻RD(on)仅为7mR，确保在大电流环境下也能保持高效能和低热损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等场合，是提升系统能效、强化可靠性的不二之选。。你可以下载 IPD30N03S2L-10-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IPD30N03S2L-10-HXY
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