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MOSFETs HXY IPD30N03S2L-10-HXY

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品牌：HXY(华轩阳)
型号：IPD30N03S2L-10-HXY
商品编号：DS39727903
封装规格：TO-252-2L
商品描述： IPD30N03S2L-10 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。该器件具有出众的电气参数工作电压VDSS高达30V，连续电流ID最高可达60A，且拥有极低的导通电阻RD(on)仅为7mR，确保在大电流环境下也能保持高效能和低热损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等场合，是提升系统能效、强化可靠性的不二之选。
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	型号：IPD30N03S2L-10-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY IPD30N03S2L-10-HXY MOSFETs HXY IPD30N03S2L-10-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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IPD30N03S2L-10-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 IPD30N03S2L-10-HXY 价格参考￥。 HXY IPD30N03S2L-10-HXY 封装/规格： TO-252-2L, IPD30N03S2L-10 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。该器件具有出众的电气参数工作电压VDSS高达30V，连续电流ID最高可达60A，且拥有极低的导通电阻RD(on)仅为7mR，确保在大电流环境下也能保持高效能和低热损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等场合，是提升系统能效、强化可靠性的不二之选。。你可以下载 IPD30N03S2L-10-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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