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MOSFETs HXY IRLML2030PBF-HXY
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流 | 4A | |
类型 | 1个N沟道 | |
极性 | 1个N沟道 | |
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商品介绍
IRLML2030PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于各种紧凑型电子设计。该器件关键特性包括最高工作电压VDSS为30V，可提供高达4A的连续漏极电流；其低至29mΩ的导通电阻RD(on)，确保在高电流应用中依然保持较低的功率损耗与高效能表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等众多场景，是您追求高集成度与节能方案的理想MOS管选择。
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IRLML2030PBF-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRLML2030PBF-HXY 价格参考￥ 。 HXY IRLML2030PBF-HXY 封装/规格： SOT-23, IRLML2030PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于各种紧凑型电子设计。该器件关键特性包括最高工作电压VDSS为30V，可提供高达4A的连续漏极电流；其低至29mΩ的导通电阻RD(on)，确保在高电流应用中依然保持较低的功率损耗与高效能表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等众多场景，是您追求高集成度与节能方案的理想MOS管选择。。你可以下载 IRLML2030PBF-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IRLML2030PBF-HXY
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