• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： PMV45EN2R-HXY
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• 商品编号： G12353702
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• 封装规格： SOT-23
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• 商品描述： PMV45EN2R 是一款高性能N沟道MOS管，选用紧凑型SOT-23封装，尤其适合对空间利用有严格要求的电路设计。其核心技术指标包括最高30V的漏源极击穿电压(VDSS)，以及4A的连续漏极电流(ID)，彰显出强大的电流处理性能。更值得关注的是，该器件具有优越的导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，旨在最大程度地减少功率损耗，提高系统效能。这款MOS管广泛应用于电源转换器、充电器、电机驱动等需高效能、低阻抗元件的电子产品中。 PMV45EN2R 是一款高性能N沟道MOS管，选用紧凑型SOT-23封装，尤其适合对空间利用有严格要求的电路设计。其核心技术指标包括最高30V的漏源极击穿电压(VDSS)，以及4A的连续漏极电流(ID)，彰显出强大的电流处理性能。更值得关注的是，该器件具有优越的导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，旨在最大程度地减少功率损耗，提高系统效能。这款MOS管广泛应用于电源转换器、充电器、电机驱动等需高效能、低阻抗元件的电子产品中。