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MOSFETs HXY BSZ0904NSI-HXY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: BSZ0904NSI-HXY
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  • 商品编号: G12353645
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  • 封装规格: DFN-8L(3x3)
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  • 商品描述: BSZ0904NSI 是一款高强度N沟道MOSFET,采用紧凑型DFN3X3-8L封装,特别适应于高密度电子产品的布局需求。其核心技术指标包括最大漏源电压(VDSS)达到30V,峰值漏极电流(ID)高达100A,显示出超强电流处理能力;而优异的导通电阻仅为4mΩ(RD(on)),确保在大电流工作状态下的低损耗性能。此款MOS管非常适合应用于功率转换、快速充电、大电流开关控制等对效率和稳定性要求严苛的领域。

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型号:BSZ0904NSI-HXY
MOSFETs
MOSFETs HXY BSZ0904NSI-HXY
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BSZ0904NSI-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 BSZ0904NSI-HXY 价格参考¥ 。 HXY BSZ0904NSI-HXY 封装/规格: DFN-8L(3x3), BSZ0904NSI 是一款高强度N沟道MOSFET,采用紧凑型DFN3X3-8L封装,特别适应于高密度电子产品的布局需求。其核心技术指标包括最大漏源电压(VDSS)达到30V,峰值漏极电流(ID)高达100A,显示出超强电流处理能力;而优异的导通电阻仅为4mΩ(RD(on)),确保在大电流工作状态下的低损耗性能。此款MOS管非常适合应用于功率转换、快速充电、大电流开关控制等对效率和稳定性要求严苛的领域。。你可以下载 BSZ0904NSI-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: BSZ0904NSI-HXY

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