alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs HXY CSD17578Q3A-HXY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: CSD17578Q3A-HXY
    点击复制
  • 商品编号: G12353655
    点击复制
  • 封装规格: DFN-8L(3x3)
    点击复制
  • 商品描述: CSD17578Q3A N沟道MOSFET采用先进的DFN3X3-8L封装技术,实现小型化与高效散热的完美结合。该器件性能卓越,具有30V的最大漏源电压(VDSS),支持高达60A的连续工作电流,其导通电阻(RD(on))低至6mΩ,确保了出色的能效比和低功耗表现。广泛应用在电源转换、电池管理系统、电机驱动等领域,是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:CSD17578Q3A-HXY
MOSFETs
MOSFETs HXY CSD17578Q3A-HXY
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

CSD17578Q3A-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 CSD17578Q3A-HXY 价格参考¥ 。 HXY CSD17578Q3A-HXY 封装/规格: DFN-8L(3x3), CSD17578Q3A N沟道MOSFET采用先进的DFN3X3-8L封装技术,实现小型化与高效散热的完美结合。该器件性能卓越,具有30V的最大漏源电压(VDSS),支持高达60A的连续工作电流,其导通电阻(RD(on))低至6mΩ,确保了出色的能效比和低功耗表现。广泛应用在电源转换、电池管理系统、电机驱动等领域,是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。。你可以下载 CSD17578Q3A-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: CSD17578Q3A-HXY

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照