• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： CSD17579Q3A-HXY
  点击复制
• 商品编号： G12353605
  点击复制
• 封装规格： DFN-8L(3x3)
  点击复制
• 商品描述： CSD17579Q3A N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为高效空间利用而设计。该器件拥有30V的最大额定电压（VDSS），并可承载强大的60A连续漏极电流，性能卓越。尤其突出的是其超低的导通电阻6mΩ（RD(on)），显著减少功率损耗，提高整体工作效率。这款MOS管适用于各类高性能开关电源、马达驱动及大电流控制场景，是工程师的理想之选。 CSD17579Q3A N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为高效空间利用而设计。该器件拥有30V的最大额定电压（VDSS），并可承载强大的60A连续漏极电流，性能卓越。尤其突出的是其超低的导通电阻6mΩ（RD(on)），显著减少功率损耗，提高整体工作效率。这款MOS管适用于各类高性能开关电源、马达驱动及大电流控制场景，是工程师的理想之选。