• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： CSD16411Q3-HXY
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• 商品编号： G12353606
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• 封装规格： DFN-8L(3x3)
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• 商品描述： CSD16411Q3 N沟道MOS管，采用先进的DFN3X3-8L封装工艺，小巧轻便，适用于高密度电路设计。具备30V的耐压等级（VDSS）和高达60A的连续漏极电流（ID），确保卓越的电力处理能力。其导通电阻仅为6mΩ（RD(on)），有效降低功耗，提升系统能效。此款MOS管是您在高频开关电源、电机驱动等应用中的理想选择。 CSD16411Q3 N沟道MOS管，采用先进的DFN3X3-8L封装工艺，小巧轻便，适用于高密度电路设计。具备30V的耐压等级（VDSS）和高达60A的连续漏极电流（ID），确保卓越的电力处理能力。其导通电阻仅为6mΩ（RD(on)），有效降低功耗，提升系统能效。此款MOS管是您在高频开关电源、电机驱动等应用中的理想选择。