• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： BSS159N-HXY
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• 商品编号： G12353497
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• 封装规格： SOT-23
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• 商品描述： BSS159N 是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23-3L封装，专为高密度电路设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，并能处理0.3A的连续漏极电流(ID)。其导通电阻仅为1000mR，确保在导通状态下降低功耗，提高能源利用效率。适用于电源转换、负载开关、电机驱动等应用场合，是实现高性能、低功耗半导体解决方案的理想选择。 BSS159N 是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23-3L封装，专为高密度电路设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，并能处理0.3A的连续漏极电流(ID)。其导通电阻仅为1000mR，确保在导通状态下降低功耗，提高能源利用效率。适用于电源转换、负载开关、电机驱动等应用场合，是实现高性能、低功耗半导体解决方案的理想选择。