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MOSFETs HXY 2N7002E-T1-E3-HXY

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品牌：HXY(华轩阳)
型号：2N7002E-T1-E3-HXY
商品编号：DS39727629
封装规格：SOT-23
商品描述： 2N7002E-T1-E3 N沟道MOS管采用小巧的SOT-23封装，特别适合空间有限的设计项目。该器件支持高达60V的漏源电压(VDSS)，并能提供0.3A的连续漏极电流(ID)，适用于低至中等电流级别的应用。其导通电阻RD(on)为1000mR，尽管相对较高，但在微小电流传输或信号控制方面表现出色。广泛应用于电源管理、逻辑电平转换、低功率电路控制等领域，是微型化电子产品的理想选择。
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	型号：2N7002E-T1-E3-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY 2N7002E-T1-E3-HXY MOSFETs HXY 2N7002E-T1-E3-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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2N7002E-T1-E3-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 2N7002E-T1-E3-HXY 价格参考￥。 HXY 2N7002E-T1-E3-HXY 封装/规格： SOT-23, 2N7002E-T1-E3 N沟道MOS管采用小巧的SOT-23封装，特别适合空间有限的设计项目。该器件支持高达60V的漏源电压(VDSS)，并能提供0.3A的连续漏极电流(ID)，适用于低至中等电流级别的应用。其导通电阻RD(on)为1000mR，尽管相对较高，但在微小电流传输或信号控制方面表现出色。广泛应用于电源管理、逻辑电平转换、低功率电路控制等领域，是微型化电子产品的理想选择。。你可以下载 2N7002E-T1-E3-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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