• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： PMV30UN2R-HXY
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• 商品编号： G12353425
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• 封装规格： SOT-23
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• 商品描述： PMV30UN2R 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能和小型化电子设备设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达6A的连续漏极电流(ID)，并具有优秀的22mΩ导通电阻(RD(on))，确保在高电流应用中也能保持低功耗和高效能。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建节能、紧凑型电子解决方案的理想半导体组件。 PMV30UN2R 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能和小型化电子设备设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达6A的连续漏极电流(ID)，并具有优秀的22mΩ导通电阻(RD(on))，确保在高电流应用中也能保持低功耗和高效能。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建节能、紧凑型电子解决方案的理想半导体组件。