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MOSFETs HXY NTR3A30PZ-HXY
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流 | 5A | |
类型 | 1个P沟道 | |
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商品介绍
NTR3A30PZ P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，特别适应于紧凑空间的电路设计需求。该器件关键参数如下最大工作电压VDSS为20V，能提供5A的连续漏极电流，确保稳定高效的电流传导；30mΩ的低导通电阻RD(on)，有效降低系统内部功耗，提升整体能效。广泛应用在电源管理、负载开关控制、电池保护等领域，是您设计高集成度与节能电子产品的优质MOS管选择。
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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NTR3A30PZ-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NTR3A30PZ-HXY 价格参考￥ 。 HXY NTR3A30PZ-HXY 封装/规格： SOT-23, NTR3A30PZ P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，特别适应于紧凑空间的电路设计需求。该器件关键参数如下最大工作电压VDSS为20V，能提供5A的连续漏极电流，确保稳定高效的电流传导；30mΩ的低导通电阻RD(on)，有效降低系统内部功耗，提升整体能效。广泛应用在电源管理、负载开关控制、电池保护等领域，是您设计高集成度与节能电子产品的优质MOS管选择。。你可以下载 NTR3A30PZ-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NTR3A30PZ-HXY
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