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MOSFETs VBsemi BSC016N04LS G-VB
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： BSC016N04LS G-VB
- 商品编号： G12335188
- 封装规格： QFN8_6X5MM
- 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
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产品分类 | ||
封装/外壳 | QFN8_6X5MM | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流 | 160A | |
类型 | 1个N沟道 | |
极性 | 1个N沟道 | |
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商品介绍
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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BSC016N04LS G-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 BSC016N04LS G-VB 价格参考￥ 。 VBsemi BSC016N04LS G-VB 封装/规格： QFN8_6X5MM, 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；。你可以下载 BSC016N04LS G-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： BSC016N04LS G-VB
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