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MOSFETs VBsemi IRF7379QTRPBF-VB
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： IRF7379QTRPBF-VB
- 商品编号： G12325166
- 封装规格： SOP-8
- 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOP-8 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
极性 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
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商品介绍
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IRF7379QTRPBF-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRF7379QTRPBF-VB 价格参考￥ 。 VBsemi IRF7379QTRPBF-VB 封装/规格： SOP-8, 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；。你可以下载 IRF7379QTRPBF-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IRF7379QTRPBF-VB
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