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MOSFETs VBsemi IXTH16N10D2-VB
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： IXTH16N10D2-VB
- 商品编号： G12322911
- 封装规格： TO-247AC
- 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-247AC | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流 | 85A | |
输入电容 | 5.1nF@25V | |
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商品介绍
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IXTH16N10D2-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IXTH16N10D2-VB 价格参考￥ 。 VBsemi IXTH16N10D2-VB 封装/规格： TO-247AC, 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；。你可以下载 IXTH16N10D2-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IXTH16N10D2-VB
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