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MOSFETs VBsemi VBMB2157N

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品牌：VBsemi(微碧)
型号： VBMB2157N
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商品编号： G12312850
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封装规格： TO-220F
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商品描述： TO220F；P—Channel沟道,-150V；-30A；RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；
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TO220F；P—Channel沟道,-150V；-30A；RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。

热销型号1 / 3

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型号：HQT-I01

品牌：HQ

封装/规格：TOOL

￥19.9

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型号：HQT-T02

品牌：HQ

封装/规格：TOOL

￥25.00331

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型号：CC0603KRX7R9BB104

品牌：Yageo

封装/规格：0603

￥0.01054

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型号：0603B104K500NT

品牌：FH

封装/规格：0603

￥0.0115

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型号：CL10B104KB8NNNC

品牌：Samsung

封装/规格：0603

￥0.01312

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图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：VBMB2157N 品牌：VBsemi(微碧)	MOSFETs MOSFETs VBsemi VBMB2157N MOSFETs VBsemi VBMB2157N	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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VBMB2157N 由 VBsemi 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 VBMB2157N 价格参考￥。 VBsemi VBMB2157N 封装/规格： TO-220F, TO220F；P—Channel沟道,-150V；-30A；RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；。你可以下载 VBMB2157N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： VBMB2157N

产品分类	MOSFETs
封装/外壳	TO-220F
工作温度	-55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)	150V
连续漏极电流	30A
输入电容	5nF@25V
类型	1个P沟道
极性	1个P沟道
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	65mΩ@10V
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