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MOSFETs VBsemi IRLH5034TRPBF-VB
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： IRLH5034TRPBF-VB
- 商品编号： G12312502
- 封装规格： QFN8(5X6)
- 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，适用于高性能电路控制和高电流应用的高性能MOSFET产品。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；120A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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产品分类 | ||
封装/外壳 | QFN8(5X6) | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流 | 123A | |
输入电容 | 4.75nF@20V | |
类型 | 1个N沟道 | |
极性 | 1个N沟道 | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
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商品介绍
台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，适用于高性能电路控制和高电流应用的高性能MOSFET产品。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；120A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IRLH5034TRPBF-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRLH5034TRPBF-VB 价格参考￥ 。 VBsemi IRLH5034TRPBF-VB 封装/规格： QFN8(5X6), 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，适用于高性能电路控制和高电流应用的高性能MOSFET产品。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；120A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；。你可以下载 IRLH5034TRPBF-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IRLH5034TRPBF-VB
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