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MOSFETs VBsemi IPP60R165CP-VB
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： IPP60R165CP-VB
- 商品编号： G12312496
- 封装规格： TO-220
- 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-220 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流 | 20A | |
类型 | 1个N沟道 | |
极性 | 1个N沟道 | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
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商品介绍
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IPP60R165CP-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPP60R165CP-VB 价格参考￥ 。 VBsemi IPP60R165CP-VB 封装/规格： TO-220, 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；。你可以下载 IPP60R165CP-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IPP60R165CP-VB
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