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MOSFETs VBsemi IRF9Z30PBF-VB
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： IRF9Z30PBF-VB
- 商品编号： G12312410
- 封装规格： TO-220
- 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、工业自动化模块、通信设备模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-40A；RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-220 | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
输入电容 | 1.3nF | |
类型 | 1个P沟道 | |
极性 | 1个P沟道 | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
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商品介绍
台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、工业自动化模块、通信设备模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-40A；RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IRF9Z30PBF-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRF9Z30PBF-VB 价格参考￥ 。 VBsemi IRF9Z30PBF-VB 封装/规格： TO-220, 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、工业自动化模块、通信设备模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-40A；RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；。你可以下载 IRF9Z30PBF-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IRF9Z30PBF-VB
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