上传BOM 
购物车 MOSFETs VBsemi NCE40P13S-VB 替代
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： NCE40P13S-VB
- 商品编号： G12312393
- 封装规格： SOP8
- 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。SOP8；P—Channel沟道,-40V；-16.1A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
EDA模型
查看详情
原理图符号
封装
- 商品详情
- EDA模型
- PDF数据手册
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOP8 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
阈值电压 | 1.2V@250μA | |
连续漏极电流 | 10.2A | |
输入电容 | 3.007nF@20V | |
类型 | 1个P沟道 | |
极性 | 1个P沟道 | |
功率耗散 | 4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 查找近似商品 | ||
商品介绍
台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。SOP8；P—Channel沟道,-40V；-16.1A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
下载EDA模型
近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）
| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：NCE40P13S-VB 品牌：VBsemi(微碧) | MOSFETs MOSFETs VBsemi NCE40P13S-VB | 数据手册 | （起订） | --- | 当前型号 | 询价 |
 | PIN to PIN | 齐纳/稳压二极管 | 数据手册 | 4440（20起订） | ¥0.14856 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.14856 20 +￥0.13514 100 +￥0.12171 500 +￥0.10829 1000 +￥0.10203 2000 +￥0.09755 | NCE40P13S-VB(VBsemi)和1N4738APF(ST(先科))的区别 |
- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
| ON品牌的MOSFETsON品牌的晶体管OTHER品牌的MOSFETsOTHER品牌的晶体管Infineon品牌的MOSFETsInfineon品牌的晶体管Ruichips品牌的MOSFETsRuichips品牌的晶体管NCE品牌的MOSFETsNCE品牌的晶体管IXYS品牌的MOSFETsIXYS品牌的晶体管 |
NCE40P13S-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NCE40P13S-VB 价格参考￥ 。 VBsemi NCE40P13S-VB 封装/规格： SOP8, 台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。SOP8；P—Channel沟道,-40V；-16.1A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；。你可以下载 NCE40P13S-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NCE40P13S-VB
工商网监 