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MOSFETs VBsemi IRFR420BTM-VB
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： IRFR420BTM-VB
- 商品编号： G12312270
- 封装规格： TO-252(DPAK)
- 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-252(DPAK) | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流 | 4.5A | |
类型 | 1个N沟道 | |
极性 | 1个N沟道 | |
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商品介绍
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IRFR420BTM-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRFR420BTM-VB 价格参考￥ 。 VBsemi IRFR420BTM-VB 封装/规格： TO-252(DPAK), 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；。你可以下载 IRFR420BTM-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IRFR420BTM-VB
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