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隔离式栅极驱动器 TI UCC21530BQDWKRQ1

  • 品       牌:TI(德州仪器)
  • 型       号: UCC21530BQDWKRQ1
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  • 商品编号: G12261105
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  • 封装规格: SOIC14_300MIL
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  • 商品描述: UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET,具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V的工作电压。该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。

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型号:UCC21530BQDWKRQ1
隔离式栅极驱动器
隔离式栅极驱动器 TI UCC21530BQDWKRQ1
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UCC21530BQDWKRQ1TI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 UCC21530BQDWKRQ1 价格参考¥ 。 TI UCC21530BQDWKRQ1 封装/规格: SOIC14_300MIL, UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET,具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V的工作电压。该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。。你可以下载 UCC21530BQDWKRQ1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 隔离式栅极驱动器 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: UCC21530BQDWKRQ1

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