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MOSFETs ON NVBLS4D0N15MC
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产品分类 | ||
封装/外壳 | MO-299A | |
工作温度 | -55℃~+175℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
阈值电压 | 3.7V@584μA | |
栅极电荷(Qg) | 90.4nC@10V | |
连续漏极电流 | 187A | |
输入电容 | 7.49nF@75V | |
类型 | 1个N沟道 | |
反向传输电容Crss | 27.2pF@75V | |
额定功率 | 316W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.1mΩ@10V,80A | |
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商品介绍
Automotive Power MOSFET in a TOLL package for efficient designs with high thermal performance. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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手机版： NVBLS4D0N15MC
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