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MOSFETs VBsemi ISL9N308AD3ST-VB
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： ISL9N308AD3ST-VB
- 商品编号： G12086524
- 封装规格： TO-252(DPAK)
- 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-252(DPAK) | |
工作温度 | -55℃~+175℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
阈值电压 | 2.5V@250μA | |
栅极电荷(Qg) | 31.5nC@4.5V | |
连续漏极电流 | 80A | |
输入电容 | 2.201nF@15V | |
类型 | 1个N沟道 | |
极性 | 1个N沟道 | |
反向传输电容Crss | 270pF@15V | |
额定功率 | 205W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V,38.8A | |
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商品介绍
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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ISL9N308AD3ST-VB 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 ISL9N308AD3ST-VB 价格参考￥ 。 VBsemi ISL9N308AD3ST-VB 封装/规格： TO-252(DPAK), 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；。你可以下载 ISL9N308AD3ST-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： ISL9N308AD3ST-VB
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