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MOSFETs HXY HXY3400MI
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT23-3 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
阈值电压 | 1.4V@250μA | |
连续漏极电流 | 5.8A | |
输入电容 | 825pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
极性 | N-沟道 | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,5.8A | |
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商品介绍
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，适用于30V电压系统，额定电流高达5.8A。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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