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MOSFETs HXY HXY30G20DF
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产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN8L_3X3MM | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
阈值电压 | 2.5V@250μA | |
连续漏极电流 | 16A | |
输入电容 | 930pF@15V;416pF@15V | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
极性 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,8A;20mΩ@10V,15A | |
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商品介绍
本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道，额定电压30V，连续电流16A。专为小型化、高效率电源转换与负载控制设计，适用于电池管理系统等应用场景，提供出色的能效比及空间节省方案。
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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HXY30G20DF 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HXY30G20DF 价格参考￥ 。 HXY HXY30G20DF 封装/规格： DFN8L_3X3MM, 本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道，额定电压30V，连续电流16A。专为小型化、高效率电源转换与负载控制设计，适用于电池管理系统等应用场景，提供出色的能效比及空间节省方案。。你可以下载 HXY30G20DF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HXY30G20DF
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