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MOSFETs HUAYI HYG045N03LA1D

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品牌：HUAYI(华羿微)
型号：HYG045N03LA1D
商品编号：DS39685346
封装规格：TO-252-2(DPAK)
商品描述：类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):57W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):26nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.156nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):221pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);
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	型号：HYG045N03LA1D 品牌：HUAYI(华羿微)	MOSFETs MOSFETs HUAYI HYG045N03LA1D MOSFETs HUAYI HYG045N03LA1D	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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HYG045N03LA1D 由 HUAYI 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 HYG045N03LA1D 价格参考￥。 HUAYI HYG045N03LA1D 封装/规格： TO-252-2(DPAK), 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):57W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):26nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.156nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):221pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);。你可以下载 HYG045N03LA1D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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