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MOSFETs HL HP120N04(BGG)
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-220-3 | |
工作温度 | -55℃~+175℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
阈值电压 | 1.7V@250μA | |
连续漏极电流 | 120A | |
输入电容 | 4.061nF | |
击穿电流 | 227pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
反向传输电容Crss | 227pF@25V | |
额定功率 | 147W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5mΩ@10V,60A | |
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商品介绍
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):91nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.061nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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HP120N04(BGG) 由 HL 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HP120N04(BGG) 价格参考￥ 。 HL HP120N04(BGG) 封装/规格： TO-220-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):91nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.061nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);。你可以下载 HP120N04(BGG) 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HP120N04(BGG)
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