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MOSFETs Sisemi SIF4N65F/TO-251T

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品牌：Sisemi(深爱)
型号：SIF4N65F/TO-251T
商品编号：DS39684714
封装规格：TO-251-3
商品描述：类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):590pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);
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	型号：SIF4N65F/TO-251T 品牌：Sisemi(深爱)	MOSFETs MOSFETs Sisemi SIF4N65F/TO-251T MOSFETs Sisemi SIF4N65F/TO-251T	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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SIF4N65F/TO-251T 由 Sisemi 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 SIF4N65F/TO-251T 价格参考￥。 Sisemi SIF4N65F/TO-251T 封装/规格： TO-251-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):590pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);。你可以下载 SIF4N65F/TO-251T 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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