alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

可控硅/晶闸管/光电可控硅 VBsemi IRLU024NPBF-VB

  • 品       牌:VBsemi(微碧)
  • 型       号: IRLU024NPBF-VB
    点击复制
  • 商品编号: G11696724
    点击复制
  • 封装规格: TO-251-3
    点击复制
  • 商品描述: 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):59.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):28nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.1nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):130pF@30V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IRLU024NPBF-VB
可控硅/晶闸管/光电可控硅
可控硅/晶闸管/光电可控硅 VBsemi IRLU024NPBF-VB
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

IRLU024NPBF-VBVBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRLU024NPBF-VB 价格参考¥ 。 VBsemi IRLU024NPBF-VB 封装/规格: TO-251-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):59.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):28nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.1nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):130pF@30V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);。你可以下载 IRLU024NPBF-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 可控硅/晶闸管/光电可控硅 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: IRLU024NPBF-VB

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照