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MOSFETs Vishay SIHD11N80AE-T4-GE3
- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SIHD11N80AE-T4-GE3
- 商品编号： G11344965
- 封装规格： TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 商品描述： 表面贴装型 N 通道 800 V 8A（Tc） 78W（Tc） DPAK
- 商品详情
- PDF数据手册
- 技术文档
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
Vgs（最大值） | ±30V |
FET 功能 | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 804 pF @ 100 V |
功率耗散（最大值） | 78W（Tc） |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
安装类型 | 表面贴装型 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
供应商器件封装 | DPAK |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
标准包装 | 3000 |
漏源电压（Vdss） | 800 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42 nC @ 10 V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 5.5A，10V |
封装/外壳 | TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63 |
资质 | - |
等级 | - |
包装 | 卷带（TR） |
零件状态 | 在售 |
系列 | E |
商品介绍
表面贴装型 N 通道 800 V 8A（Tc） 78W（Tc） DPAK
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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