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MOSFETs Vishay SIZ256DT-T1-GE3
- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SIZ256DT-T1-GE3
- 商品编号： DS0154502
- 封装规格： 8-PowerWDFN
- 商品描述： MOSFET - 阵列 70V 11.5A（Ta），31.8A（Tc） 4.3W（Ta），33W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（3.3x3.3）
- 商品详情
- 技术文档
基本产品编号 | SIZ256 |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
供应商器件封装 | 8-PowerPair®（3.3x3.3） |
漏源电压（Vdss） | 70V |
包装 | 卷带（TR） |
FET 功能 | - |
配置 | 2 N-通道（双） |
安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1060pF @ 35V |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.5A（Ta），31.8A（Tc） |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
功率 - 最大值 | 4.3W（Ta），33W（Tc） |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17.6 毫欧 @ 7A，4.5V |
标准包装 | 3000 |
零件状态 | 在售 |
制造商 | Vishay Siliconix |
商品介绍
MOSFET - 阵列 70V 11.5A（Ta），31.8A（Tc） 4.3W（Ta），33W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（3.3x3.3）
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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