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MOSFETs Infineon BSS169IXTSA1
数量 香港价格 国内价格 3000+ $0.08213 ￥0.67319 6000+ $0.07417 ￥0.60791 9000+ $0.07011 ￥0.57462 15000+ $0.06554 ￥0.53719 21000+ $0.06283 ￥0.51501 30000+ $0.0602 ￥0.49345 75000+ $0.05443 ￥0.44613 150000+ $0.05315 ￥0.43565
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| 3000+ | $0.08213 | ￥0.67319 |
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| 150000+ | $0.05315 | ￥0.43565 |
- 品 牌：Infineon(英飞凌)
- 型 号： BSS169IXTSA1
- 商品编号： G6545184
- 封装规格： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 商品描述： 表面贴装型 N 沟道，耗尽型 100 V 190mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT-23-3
- 商品详情
- 技术文档
系列 | - |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V，10V |
Vgs（最大值） | ±20V |
包装 | 卷带（TR） |
FET 功能 | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 51 pF @ 25 V |
功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） |
FET 类型 | N 沟道，耗尽型 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
安装类型 | 表面贴装型 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 50µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
供应商器件封装 | PG-SOT-23-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA（Ta） |
标准包装 | 3000 |
漏源电压（Vdss） | 100 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.1 nC @ 7 V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.9 欧姆 @ 190mA，10V |
封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
零件状态 | 在售 |
资质 | - |
等级 | - |
商品介绍
表面贴装型 N 沟道，耗尽型 100 V 190mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT-23-3
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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