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晶体管 ROHM QS8J5TR
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基本产品编号 | QS8J5 |
系列 | - |
供应商器件封装 | TSMT8 |
漏源电压（Vdss） | 30V |
包装 | 卷带（TR） |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
配置 | 2 个 P 沟道（双） |
安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100pF @ 10V |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
工作温度 | 150°C（TJ） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A |
封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
制造商 | Rohm Semiconductor |
功率 - 最大值 | 600mW |
零件状态 | 在售 |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 5A，10V |
标准包装 | 3000 |
商品介绍
MOSFET - 阵列 30V 5A 600mW 表面贴装型 TSMT8
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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