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MOSFETs ROHM RJ1G08CGNTLL
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供应商器件封装 | LPTL |
包装 | 卷带（TR） |
FET 类型 | N 通道 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 500µA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
封装/外壳 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB |
零件状态 | 不适用于新设计 |
基本产品编号 | RJ1G08 |
系列 | - |
漏源电压（Vdss） | 40 V |
功率耗散（最大值） | 78W（Tc） |
安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
标准包装 | 1000 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2410 pF @ 20 V |
Vgs（最大值） | ±20V |
FET 功能 | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31.1 nC @ 10 V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.6 毫欧 @ 80A，10V |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
工作温度 | 150°C（TJ） |
资质 | - |
等级 | - |
商品介绍
表面贴装型 N 通道 40 V 80A（Tc） 78W（Tc） LPTL
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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