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MOSFETs Vishay SISS60DN-T1-GE3
- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SISS60DN-T1-GE3
- 商品编号： G8259097
- 封装规格： PowerPAK® 1212-8S
- 商品描述： 表面贴装型 N 通道 30 V 50.1A（Ta），181.8A（Tc） 5.1W（Ta），65.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8S
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- PDF数据手册
- 技术文档
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8S |
包装 | 卷带（TR） |
FET 类型 | N 通道 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50.1A（Ta），181.8A（Tc） |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8S |
基本产品编号 | SISS60 |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
漏源电压（Vdss） | 30 V |
功率耗散（最大值） | 5.1W（Ta），65.8W（Tc） |
安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
标准包装 | 3000 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3960 pF @ 15 V |
Vgs（最大值） | +16V，-12V |
FET 功能 | 肖特基二极管（体） |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 85.5 nC @ 10 V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.31 毫欧 @ 20A，10V |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
零件状态 | 在售 |
资质 | - |
等级 | - |
商品介绍
表面贴装型 N 通道 30 V 50.1A（Ta），181.8A（Tc） 5.1W（Ta），65.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8S
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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