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MOSFETs TI CSD87335Q3DT
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- 商品详情
- 技术文档
基本产品编号 | CSD87335Q3 |
系列 | NexFET™ |
供应商器件封装 | 8-LSON（3.3x3.3） |
漏源电压（Vdss） | 30V |
包装 | 卷带（TR） |
FET 功能 | - |
配置 | 2 N-通道（双） |
安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1050pF @ 15V |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A |
封装/外壳 | 8-PowerLDFN |
功率 - 最大值 | 6W |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.4nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - |
标准包装 | 250 |
零件状态 | 在售 |
制造商 | Texas Instruments |
商品介绍
MOSFET - 阵列 30V 25A 6W 表面贴装型 8-LSON（3.3x3.3）
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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