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晶体管 ROHM RQ3E080BNTB 替代

数量 香港价格 国内价格
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10+ $0.40605 ¥3.39363
100+ $0.25971 ¥2.17058
500+ $0.19668 ¥1.64376
1000+ $0.17632 ¥1.47366

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1 37975(1起订)

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¥ 5.48162

  • 品       牌:ROHM(罗姆)
  • 型       号: RQ3E080BNTB
  • 商品编号: DS0078767
  • 封装规格: 8-PowerVDFN
  • 商品描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 8A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)

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供应商器件封装

8-HSMT(3.2x3)

包装

卷带(TR)

FET 类型

N 通道

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

8A(Ta)

封装/外壳

8-PowerVDFN

零件状态

在售

基本产品编号

RQ3E080

系列

-

漏源电压(Vdss)

30 V

功率耗散(最大值)

2W(Ta)

安装类型

表面贴装型

技术

MOSFET(金属氧化物)

标准包装

3000

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

660 pF @ 15 V

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

14.5 nC @ 10 V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

15.2 毫欧 @ 8A,10V

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

工作温度

150°C(TJ)

资质

-

等级

-

商品介绍

表面贴装型 N 通道 30 V 8A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02309
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:RQ3E080BNTB
品牌:ROHM(罗姆)
单 FET,MOSFET
晶体管 ROHM RQ3E080BNTB
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10 +¥3.39363

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型号: SKHLAKA010
品牌:ALPS
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RQ3E080BNTB(ROHM)和SKHLAKA010(ALPS)的区别
品牌:XKB
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¥0.22950 ▼

数量国内含税

1 +¥0.22950

10 +¥0.22100

100 +¥0.19550

500 +¥0.19040

RQ3E080BNTB(ROHM)和TC-1101T-C-B-B(XKB)的区别
品牌:
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RQ3E080BNTB(ROHM)和TC-1101T-C-B-B(XKB)的区别

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RQ3E080BNTBROHM 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stop 等渠道进行代购。 RQ3E080BNTB 价格参考¥ 5.48162 。 ROHM RQ3E080BNTB 封装/规格: PowerVDFN8, MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8。你可以下载 RQ3E080BNTB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: RQ3E080BNTB

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