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MOSFETs Infineon IPD600N25N3 G

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	型号：IPD600N25N3 G 品牌：Infineon(英飞凌)	MOSFETs Infineon IPD600N25N3 G MOSFETs Infineon IPD600N25N3 G	---	0（1起订）	¥25.94020 ▼ 数量国内含税 2500 +￥25.94020	当前型号	加入购物车

IPD600N25N3 G 由 Infineon 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 corestaff 等渠道进行代购。 IPD600N25N3 G 价格参考￥ 25.9402 。 Infineon IPD600N25N3 G 封装/规格： TO-252-2(DPAK), 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):136W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@90uA;。你可以下载 IPD600N25N3 G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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