alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

综合元器件 Vishay SI2319DDS-T1-GE3

数量国内价格
1+ ¥3.44966
3+ ¥2.81842
10+ ¥2.35607
25+ ¥2.1237
66+ ¥1.61943
181+ ¥1.53079
1000+ ¥1.51881
3000+ ¥1.47569

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日): 7-15个工作日

库存:

1 1098(1起订)

1 127530(1起订)

1 160(1起订)

1 9000(1起订)

数量:
X3.44966(单价)
总价:
¥ 3.44966

  • 品       牌:Vishay(威世)
  • 型       号: SI2319DDS-T1-GE3
    点击复制
  • 商品编号: ZHLM0061896
    点击复制
  • 封装规格:
    点击复制
  • 商品描述: 晶体管: P-MOSFET; TrenchFET®; 单极; -40V; -3.6A; Idm: -15A; 1.7W; SOT23

  • 商品详情
热销型号1 / 3

近似替代型号( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:SI2319DDS-T1-GE3

综合元器件 Vishay SI2319DDS-T1-GE3
--- 0(1起订)

¥3.44966 ▼

数量国内含税

1 +¥3.44966

3 +¥2.81842

10 +¥2.35607

25 +¥2.12370

66 +¥1.61943

181 +¥1.53079

1000 +¥1.51881

3000 +¥1.47569

当前型号加入购物车

SI2319DDS-T1-GE3Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrschip1stopfuture 等渠道进行代购。 SI2319DDS-T1-GE3 价格参考¥ 3.44966 。 Vishay SI2319DDS-T1-GE3 封装/规格: SOT-23(TO-236), SI2319DDS-T1-GE3。你可以下载 SI2319DDS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: SI2319DDS-T1-GE3

Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照