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MOSFETs VBsemi VBL165R18

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品牌：VBsemi(微碧)
型号：VBL165R18
商品编号：DS39670191
封装规格：TO263
商品描述： N—Channel沟道,650V,18A,RDS(ON),430mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO263

商品详情

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图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：VBL165R18 品牌：VBsemi(微碧)	MOSFETs VBsemi VBL165R18 MOSFETs VBsemi VBL165R18	---	0（1起订）	¥11.61979 ▼ 数量国内含税 10 +￥11.61979 50 +￥11.34108 300 +￥11.02312	当前型号	加入购物车

VBL165R18 由 VBsemi 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 VBL165R18 价格参考￥ 11.61979 。 VBsemi VBL165R18 封装/规格： TO263-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,11A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;。你可以下载 VBL165R18 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： VBL165R18

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品 牌：VBsemi(微碧)型 号：VBL165R18商品编号：DS39670191封装规格：TO263商品描述： N—Channel沟道,650V,18A,RDS(ON),430mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO263 N—Channel沟道,650V,18A,RDS(ON),430mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO263

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