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MOSFETs VBsemi VBFB1208N

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品牌：VBsemi(微碧)
型号：VBFB1208N
商品编号：DS39670198
封装规格：TO251
商品描述： N—Channel沟道,200V,30A,RDS(ON),56mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.3Vth(V) 封装：TO251

商品详情

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	型号：VBFB1208N 品牌：VBsemi(微碧)	MOSFETs VBsemi VBFB1208N MOSFETs VBsemi VBFB1208N	---	0（1起订）	¥4.64769 ▼ 数量国内含税 50 +￥4.64769 300 +￥4.53622 1000 +￥4.40904	当前型号	加入购物车

VBFB1208N 由 VBsemi 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 VBFB1208N 价格参考￥ 4.64769 。 VBsemi VBFB1208N 封装/规格： TO-251-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):145W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;。你可以下载 VBFB1208N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： VBFB1208N

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型号：VBFB1208N
商品编号：DS39670198
封装规格：TO251
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品 牌：VBsemi(微碧)型 号：VBFB1208N商品编号：DS39670198封装规格：TO251商品描述： N—Channel沟道,200V,30A,RDS(ON),56mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.3Vth(V) 封装：TO251 N—Channel沟道,200V,30A,RDS(ON),56mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.3Vth(V) 封装：TO251

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型号：VBFB1208N
商品编号：DS39670198
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