图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi NTD20N03L27T4G-VB

数量国内价格
100+ ￥1.25204
500+ ￥1.22201
3000+ ￥1.18775

数量	国内价格
100+	￥1.25204
500+	￥1.22201
3000+	￥1.18775

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：5-6工作日

库存：
1 10000（1起订）

合作库存的价格参考：
数量	国内含税
100+	￥1.25204
500+	￥1.22201
3000+	￥1.18775

数量：

X1.25204（单价）

总价：

￥ 1.25204

加入购物车立即购买

品牌：VBsemi(微碧)
型号：NTD20N03L27T4G-VB
商品编号：DS39698904
封装规格：TO252
商品描述： N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V) 封装：TO252

商品详情

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：NTD20N03L27T4G-VB 品牌：VBsemi(微碧)	MOSFETs VBsemi NTD20N03L27T4G-VB MOSFETs VBsemi NTD20N03L27T4G-VB	---	0（1起订）	¥1.25204 ▼ 数量国内含税 100 +￥1.25204 500 +￥1.22201 3000 +￥1.18775	当前型号	加入购物车

NTD20N03L27T4G-VB 由 VBsemi 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 NTD20N03L27T4G-VB 价格参考￥ 1.25204 。 VBsemi NTD20N03L27T4G-VB 封装/规格： TO252, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A;。你可以下载 NTD20N03L27T4G-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： NTD20N03L27T4G-VB

元器件商品 0

MOSFETs VBsemi NTD20N03L27T4G-VB

数量国内价格
100+ ￥1.25204
500+ ￥1.22201
3000+ ￥1.18775

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：5-6工作日

库存：
1 10000（1起订）

品牌：VBsemi(微碧)
型号：NTD20N03L27T4G-VB
商品编号：DS39698904
封装规格：TO252
商品描述： N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V) 封装：TO252

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）

元器件商品 0

MOSFETs VBsemi NTD20N03L27T4G-VB

数量国内价格100+ ￥1.25204 500+ ￥1.22201 3000+ ￥1.18775

交货地： 1国内（含增税） 交期（工作日） ：5-6工作日

库存： 1 10000（1起订）

品 牌：VBsemi(微碧)型 号：NTD20N03L27T4G-VB商品编号：DS39698904封装规格：TO252商品描述： N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V) 封装：TO252 N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V) 封装：TO252

近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）

数量国内价格
100+ ￥1.25204
500+ ￥1.22201
3000+ ￥1.18775

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：5-6工作日

库存：
1 10000（1起订）

品牌：VBsemi(微碧)
型号：NTD20N03L27T4G-VB
商品编号：DS39698904
封装规格：TO252
商品描述： N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V) 封装：TO252

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）