图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi FDT86113LZ-VB

数量国内价格
100+ ￥1.43058
500+ ￥1.39627
3000+ ￥1.35712

数量	国内价格
100+	￥1.43058
500+	￥1.39627
3000+	￥1.35712

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：5-6工作日

库存：
1 10000（1起订）

合作库存的价格参考：
数量	国内含税
100+	￥1.43058
500+	￥1.39627
3000+	￥1.35712

数量：

X1.43058（单价）

总价：

￥ 1.43058

加入购物车立即购买

品牌：VBsemi(微碧)
型号：FDT86113LZ-VB
商品编号：DS39679548
封装规格：SOT223-3
商品描述： N—Channel沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~4Vth(V) 封装：SOT223-3

商品详情

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：FDT86113LZ-VB 品牌：VBsemi(微碧)	MOSFETs VBsemi FDT86113LZ-VB MOSFETs VBsemi FDT86113LZ-VB	---	0（1起订）	¥1.43058 ▼ 数量国内含税 100 +￥1.43058 500 +￥1.39627 3000 +￥1.35712	当前型号	加入购物车

FDT86113LZ-VB 由 VBsemi 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 FDT86113LZ-VB 价格参考￥ 1.43058 。 VBsemi FDT86113LZ-VB 封装/规格： SOT223-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;。你可以下载 FDT86113LZ-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： FDT86113LZ-VB

元器件商品 0

MOSFETs VBsemi FDT86113LZ-VB

数量国内价格
100+ ￥1.43058
500+ ￥1.39627
3000+ ￥1.35712

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：5-6工作日

库存：
1 10000（1起订）

品牌：VBsemi(微碧)
型号：FDT86113LZ-VB
商品编号：DS39679548
封装规格：SOT223-3
商品描述： N—Channel沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~4Vth(V) 封装：SOT223-3

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）

元器件商品 0

MOSFETs VBsemi FDT86113LZ-VB

数量国内价格100+ ￥1.43058 500+ ￥1.39627 3000+ ￥1.35712

交货地： 1国内（含增税） 交期（工作日） ：5-6工作日

库存： 1 10000（1起订）

近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）

数量国内价格
100+ ￥1.43058
500+ ￥1.39627
3000+ ￥1.35712

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：5-6工作日

库存：
1 10000（1起订）

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）