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MOSFETs ST SCTW90N65G2V

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品牌：ST(意法半导体)
型号：SCTW90N65G2V
商品编号：DS0169996
封装规格：HiP-247
商品描述：碳化硅功率MOSFET，650 V、119 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装

商品详情

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	型号：SCTW90N65G2V 品牌：ST(意法半导体)	MOSFETs ST SCTW90N65G2V MOSFETs ST SCTW90N65G2V	---	0（1起订）	¥292.32360 ▼ 数量国内含税 1 +￥292.32360 30 +￥280.29240	当前型号	加入购物车

SCTW90N65G2V 由 ST 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 SCTW90N65G2V 价格参考￥ 292.3236 。 ST SCTW90N65G2V 封装/规格： TO-247-3, SICFET N-CH 650V 90A HIP247。你可以下载 SCTW90N65G2V 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： SCTW90N65G2V

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品牌：ST(意法半导体)
型号：SCTW90N65G2V
商品编号：DS0169996
封装规格：HiP-247
商品描述：碳化硅功率MOSFET，650 V、119 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装

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品 牌：ST(意法半导体)型 号：SCTW90N65G2V商品编号：DS0169996封装规格：HiP-247商品描述： 碳化硅功率MOSFET，650 V、119 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装 碳化硅功率MOSFET，650 V、119 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装

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商品描述：碳化硅功率MOSFET，650 V、119 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装

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